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天天爱彩票官网电脑版-三星半导体二期项目在西安出资将超140亿美元

作者:admin 发布时间:2019-07-07 19:31:12 浏览次数:265
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  新华社西安5月17日电(记者李华、薛天)记者近来从坐落西安高新区的三星(我国)半导体有限公司采访了解到,三星半导体高端存储芯片二期项目总出资将超越140亿美元。二期项目已于2018年3月开工建造,估计本年7月份建成,2020年天天爱彩票官网电脑版-三星半导体二期项目在西安出资将超140亿美元一季度完成量产。

  三星(我国)半导体有限公司副总裁池贤基在采访中说,三星半导体的存储芯片二期项目分为两个阶段,第一阶段出资70天天爱彩票官网电脑版-三星半导体二期项目在西安出资将超140亿美元亿美元,第二阶段具体方案还未出炉,但估计会超越70亿美元,总出资将超越140亿美元。

  2012年,西安高新区成功引入三星电子存储芯片项目,出产天天爱彩票官网电脑版-三星半导体二期项目在西安出资将超140亿美元“V-王效政NAND”闪存芯片。一期天天爱彩票官网电脑版-三星半导体二期项目在西安出资将超140亿美元项目于2014年5月竣工投产。“一期项目天天爱彩票官网电脑版-三星半导体二期项目在西安出资将超140亿美元方案出资70亿美元,实践总出资超越了100亿美元。”池贤基说。

  据介绍,直接在我国出产“V-NAND”闪存芯片,将使三星更有功率地应对商场的改变和天天爱彩票官网电脑版-三星半导体二期项目在西安出资将超140亿美元顾客的需求。池贤基说,三星半导体持续投建二期项目,表明他们对我国经济很有决心。

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